可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

参考答案：D

本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。

A.硫喷妥钠B.氯胺酮C.依托咪酯D.普尔安E.安泰酮F.丙泊酚

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A.巨人症B.侏儒症C.糖尿病D.克汀病E.垂体GH瘤

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A.过敏性休克B.感染性休克C.心源性休克D.低血容量性休克E.神经源性休克

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